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案件番号：144074 / 080
- 外資系
【東京八王子勤務】光通信用半導体のプロダクトエンジニア
事業内容
【外資系_化合物半導体電子部品企業】ニューヨーク市場上場
1996年に光通信モジュールメーカーとして設立。業界のアップダウンにも関わらず過去5年間で年平均成長率は約30％という高い成長を遂げ2011年2月にニューヨーク市場にて上場しました。
いわゆるPICと呼ばれる光集積回路をベースとした、大容量の帯域幅を必要とする高速光通信ネットワーク用モジュール、部品及びサブシステムのデザイン、製造における業界のリーダー的存在であり、製品トピックスとしては、世界市場で24万個導入しているPICモジュールが30億時間無故障と高い評価を得ています。各国にR&D・セールス拠点を持ち、従業員は2000名以上です。
勤務地
東京都八王子市
職務内容
◆ InP光デバイス(半導体レーザ、ホトダイオード、光変調器)、または、GaAsデバイスの製品技術 (Product engineering)
◆ 製品の歩留り改善対策をリードし、設計部門や生産技術部門へ働きかけながら利益の最大化を図る
◆ データベースの構築やマクロなどによるデータ収集、分析
◆ 歩留り、製品特性のモニタリング
◆ 物理解析、電気/光測定
を担当頂きます。ネオフォトニクス・セミコンダクタでは高速光通信用ICを開発しており、25～50Gbpsといった超高速ICにおいては豊富な量産実績があります。光通信技術は目覚ましい発展を続けており、今後も更なる高速化や低消費電力化などが求められています。生産センタの一員として、これらの最先端デバイスの量産歩留まり改善業務に携わって頂きます。上司や同僚のほとんどは日本人ですが、海外との英語でのコミュニケーションもまれに発生します。
【事業のこれから】
非常に優秀なアナログＩＣ回路／光学技術者・プロセス技術者が在籍しており、親会社のモジュールと新たに開発するデバイスを組み合わせて世界のマーケットにおける技術革新を目指します。
NeoPhotonicsのデバイス事業の重要拠点として、外販も含めてシェア拡大を目指します。
給与
年収 400万円 〜 750万円
雇用形態
正社員
応募条件
◆必須要件
・InP光デバイス(半導体レーザ、ホトダイオード、光変調器)、または、GaAsデバイスの開発、生産技術への従事経験
・簡単なデータベースの構築やマクロ作成の経験
・英語会話コミュニケーションに対して拒否感・抵抗感が無いこと（得意である必要は無い）
・日本語ネイティヴ以外の場合は、流暢な日本語コミュニケーションができることが必須
◆あればなお良い経験 、知識
・プロセス技術開発の経験
・品質工学、 分析技術（SEM, TEM, SIMSなど）の経験
英語力
初級（日常会話程度）
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メールアドレス
案件タイトル
【東京八王子勤務】光通信用半導体のプロダクトエンジニア
案件番号
144074 / 080
勤務地
東京都八王子市
案件URL
https://www.aegis-japan.co.jp/job/144074/
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